性能数据还是很丰富的。这个思路最大的优势，就是不需要过往的基础，非常适合技术跳跃式发展。不管是亚微米还是微纳米，50纳米甚至是10纳米，甚至有一天1纳米的探针，只需要加大投入就一定能摸索出实现的参数。”
“我承认我们有赌的成分。”
“这个路线成功了，我们可以抛开当前的技术路线，走一条完全不同的纳米光栅制造体系。”
“它确实没有人实现过，但我们讲科学，它从理论上有成功的可能。”
“而且这种可能，也只有我们新科能够实现。”
“哦，这怎么说？”王中军其实对这个思路还是满意的，确实很难，但有实现的可能。
但要说只有新科能实现，这又凭什么啊？凭胡文海长得帅吗？
“这方面我是有依据的。”
钟大华说的信誓旦旦，王中军明显兴趣更大了。
“在搜索相关文献的时候，我们发现了一个情况。实际上和美国数据库比起来，方案中需要的数据反而更多来自研究院的数据中心。”
“各种腐蚀液配比的研究资料，近十年来反而是我们自己的研究院数据库更多。”
“其实这并不难理解，因为我们知道，现在集成电路的制程已经进入了亚微米级，湿法蚀刻早就已经不适应需求了。但在功率半导体上，制程却并不是越小越好。事实上IGCT的制程基本都在3微米以上，IGBT的制程也是在1到3微米之间。”
“在业界普遍升级干法蚀刻之后，新科作为功率半导体的主要生产商，实际上仍然在大量的采用湿法蚀刻，并且持续多年在湿法蚀刻技术上投资改进升级。”
“由此积累下来的生产和实验资料，早就已经超出了国际先进水平。”
钟大华和王中军并不知道，这就是胡文海带来的超前规划红利了。591网
IGBT是功率半导体，制程上不仅是不需要跟随数字半导体的制程，甚至更小的制程对性能并不更友好。后世半导体制程都进入10纳米以内了，很多IGBT的制程仍然只有微米，这你敢信？
而后世中国的半导体产业，同样仍然有湿法蚀刻的一席之地。因为市场上绝大多数的芯片，实际上并不需要最先进的制程。像绝大多数低成本IC、分立器件和微电子机械设备，仍然还是采用湿法蚀刻的。
湿法刻蚀虽然做不了精细活，但自己也是有优点的。比如说特定的腐蚀剂可以起到专门腐蚀某种材料的作用，只腐蚀材料而不伤害光刻胶、不伤害下层已经形成的结构，这种选择性刻蚀的特性，让它在粗制程下安全性更好，确保不会损伤衬底。
这几年在新科的持续投入下，国内对湿法蚀刻技术已经吃的差不多了，也因此积累了超过业界水平很多的数据资料。
正如钟大
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